江苏快三和值走势图

  • <tr id='tvFhvi'><strong id='tvFhvi'></strong><small id='tvFhvi'></small><button id='tvFhvi'></button><li id='tvFhvi'><noscript id='tvFhvi'><big id='tvFhvi'></big><dt id='tvFhvi'></dt></noscript></li></tr><ol id='tvFhvi'><option id='tvFhvi'><table id='tvFhvi'><blockquote id='tvFhvi'><tbody id='tvFhvi'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='tvFhvi'></u><kbd id='tvFhvi'><kbd id='tvFhvi'></kbd></kbd>

    <code id='tvFhvi'><strong id='tvFhvi'></strong></code>

    <fieldset id='tvFhvi'></fieldset>
          <span id='tvFhvi'></span>

              <ins id='tvFhvi'></ins>
              <acronym id='tvFhvi'><em id='tvFhvi'></em><td id='tvFhvi'><div id='tvFhvi'></div></td></acronym><address id='tvFhvi'><big id='tvFhvi'><big id='tvFhvi'></big><legend id='tvFhvi'></legend></big></address>

              <i id='tvFhvi'><div id='tvFhvi'><ins id='tvFhvi'></ins></div></i>
              <i id='tvFhvi'></i>
            1. <dl id='tvFhvi'></dl>
              1. <blockquote id='tvFhvi'><q id='tvFhvi'><noscript id='tvFhvi'></noscript><dt id='tvFhvi'></dt></q></blockquote><noframes id='tvFhvi'><i id='tvFhvi'></i>
                仪器▲网首页 欢迎您: 请登录 免费注册 仪器〇双拼网址:www.yiqi.com
                发求购 学知识 提问题 查标准 找商机 手机版
                官方微信
                产品文章
                 
                当前位置:首页>产品文章>Nature I 含有n沟道和p沟道过渡金属硫化物的范德』华结场效应晶体管

                Nature I 含有n沟道和p沟道过渡金属硫化物江苏快三冷热号 推荐号的范德华结场效应晶体管

                发布:Park原子力显√微镜公〗司
                浏览次数:273

                过去的十几年江苏快三大小单双技巧走势里,二维(2D)过渡金属硫化物(TMD)被公认在未来纳米电子学中存彩票江苏快三官网在了巨大的潜⌒ 力,在材料和器件两¤个方面都得到了广泛的研究。主★要的焦点是2D TMD半导体器▓件,这可能是现有或未来技术中最重要的部分。因此,目前为止,已经发表了很江苏快三购彩技巧多关于使用2D TMD沟道的金江苏快三跨度走势图表跨度属绝缘体半导体场效应晶体管(MISFET)的报道,以及它们在互补金属氧化物半导体晶体管逆变器中的ζ应用。


                与此同时,具有范德华(vdW)接〖口的异质结2D TMD PN(PN)二极管也受到了江苏快三彩票是真的吗 www.y880011.com研究人员的广泛关注。这些vdW PN结接口在设备运行中会经历跨结的平面外或垂直电流。实际上,相同的vdW PN结结构可用于另一个重要的器件应用,即结场效应晶体管(JFET),其中平面内电ζ 流与2D–2D异质结接口一起的形式可江苏快三历史开奖数据能会实现。然而,尽管一些可能性已经在黑磷/氧化锌纳米线结系统中得到了应用,但似乎尚未报江苏快三开奖历史查询道vdW JFET应用。


                June Yeong Lim, Minju Kim, Yeonsu Jeong, Kyeong Rok Ko, Sanghyuck Yu, Hyung Gon Shin, Jae Young Moon, Young Jai Choi, Yeonjin Yi, Taekyeong Kim & Seongil Im 研究团队,将vdW JFET制成了平面半江苏快三正规网络购买导体器件,在半导体 p-MoTe2(或p-WSe2)和n-MoS2 TMD之间具Ψ有异质结。下面就是针对以上研究课题所进行的实验过程阐述与○内容讨论。


                图1a显示了研究者今天江苏快三推荐号码在285nm厚的SiO2/p-Si晶圆上制造的p-MoTe2/n-MoS2沟道JFET器件的光学江苏快三刑态走势图显微镜(OM)图像。在MoTe2和MoS2沟道中,Pt和Au分别用作▂源/漏欧姆电ㄨ极。如图1c的3D示意【图所示,六角形2H-MoS2沟道在两个沟江苏快三的玩法道彼此交叉时重叠在2H-MoTe2上。如图1b所示,通过显微拉曼光谱同时清∮晰地识别出两个半导江苏快三豹子最大遗漏一定牛体TMD,为此对重叠区域江苏快三单双玩法的中心点进行了探测(请参见图1a中的红色点)。由于p沟道和n沟道材料是交叉的「,使用Pt和Au电极可能形成了四∩种不同的PN二极管,并证实了这种二极№管的行为。此外,通江苏快三今天的开奖号码过相同的结构,还确认了p型和n型MISFET的行为以及传输曲线特性中的大滞后现象。

                 

                图1 材料特性@ 和器件示意图


                材料特性和器件示意图

                a.在285nm厚度的SiO2/p-Si晶片上制造的▆▆JFET器件的光学显微(OM)图像。红色和蓝色╱虚线分别描绘了MoS2和MoTe2覆盖区域。比例尺= 5μm。b.从重叠区域的红点获得的拉曼光〓谱。c. MoS2和MoTe2结器件的3D示意图。基江苏快三和值走势图视频本上可以形成四个异质结PN二极管对。d. p-MoTe2沟道(n-MoS2栅极)和n-MoS2沟道(p-MoTe2栅极)JFET器件的3D截面图。


                根据JFET结构的OM,进行了原子々力显微镜(AFM;图2a,b)和扫描开尔文探╲针显微镜(SKPM,图2c) 对同一装◆置的矩形区域进行探测,该矩形区域包①含图』2a所示的四个各自的表面江苏快三开奖分析:SiO2衬底,MoTe2,MoS2和MoTe2上的MoS2覆盖层。根据原子力显江苏快三和值大小走势图微镜的结果(图江苏快三开奖直播像对比度),MoTe2和MoS2沟道的厚度分别约︻为 16nm和6nm。根据SKPM结果,单个MoTe2和MoS2的功函数完全相同,为4.54eV,而MoTe2覆盖在MoTe2上的MoS2的功函数ω 略高,为4.56eV。略高的值江苏快三遗漏数据可能是因为MoTe2上的MoS2不受SiO2表面上的陷阱电荷的影∏响,还因为两个福彩江苏快三走势图TMD之间有一些电子电江苏快三推荐和预测 k3.icaile.com荷转移。根据SKPM数据,我们可以预期并构建MoTe2/MoS2 PN结,MoS2 n沟道和MoTe2 p沟道◆的能带图,分别如图2d-f所示。PN结应在MoTe2和MoS2之间包含?0.3nm vdW间隙。在没有栅偏压的情况下,沟道几乎没有势垒,而是◎内置势能(n沟道 qΦi= 0.02eV)。当对n沟道的p型栅极施江苏快三网页版加反向偏压时,MoS2沟道应该在p栅(重叠)区域(图2e)具有能垒,费米能量位于该区域的中间。带隙,指示电荷载≡流子耗尽(用于OFF状态)。类似地,MoTe2沟道在施加于︾p沟道的反向偏压下江苏快三精准计划网址,在n栅极区域(图2f)具有能垒。如果没有漏极〓偏压电压,则带势垒的能带图必须对称。但是,它今天的江苏快三走势图预测在漏极偏压下会变得不对称。


                AFM和SKPM的设备々能带图


                图2 AFM和SKPM的设备能带图

                a.JFET结构的2D AFM图像。b.JFET结构的3D AFM图像。比例尺= 1μm。c.JFET的SKPM图像。a图中的▲白色虚线框表示AFM和SKPM(a–c)的扫江苏快三看走势技巧描区域々。d. MoTe2 / MoS2,e. MoSn沟道◆的能带图。f. MoTe2 p沟道的能带图江苏快三安全吗。VGn和VGp分别表江苏快三几点开奖示施加在n沟道和p沟道上的栅极偏压


                正如平面方向带▂图(图2e,f)所预☉期的那样,n沟道JFET在图3a–f中得↑到了实验证明。图3a显示了另一个江苏快三基本走势国 k3.icaile.comJFET的OM图像,该JFET与图1a的不同,但具有相似的沟道江苏快三正规开奖厚度尺寸:对于MoS2和MoTe2沟道,分别为?12和7nm 。图3d中器件的输出特性(漏极电流-漏极电压;ID-VDS)显示典型晶体△管的三个阶段:线性(i)、夹断(ii)和饱和至早期效应(iii)。这三个阶段通过々图3c中不同VDS下的JFET横截面示意图得ㄨ到了很好的解释,虽然在图3b的示意性3D视图中,器件的每个材料组今天的江苏快三开奖结果件通过颜色来识别。图3c中的横截面(i)显示了在微↘小VDS下用于线性状态ID的传导ξ 沟道。随着VDS向正江苏快三快彩乐限码是多少电压增加, 漏极侧相对☆于p栅极产生反今天江苏快三开奖号向偏压,在源端保江苏快三快彩乐遗漏号持正向偏压和沟道开放的情况下发生不对称沟道耗尽(交叉阴影【区)。随着VDS进一步增加,n沟道达到◆夹断状态(ii)甚至→沟道长度(L)调制(iii)。这种沟道长度调制导致长江苏快三基本走势国 k3.icaile.com度(L′)缩短和电流升高(偏离饱和;早期效应)。从另一个JFET(支持信息图S3a)观察到,这种沟道调制在我们的JFET器︼件中非常普遍。图3e显示了传输特江苏快三最高多少期龙性(漏极电流-栅极电压;ID-VGS),其中⌒观察到良好的开/关 ID比为5×104,SS为?100mV/dec。在图3e中,栅极漏电流(IG)似乎随着施加的栅极江苏快三开奖统计图表电压(VGS)而增大,并且可以肯定地理解为源于n-MoS2和p-MoTe2之间的PN结的正向偏√压引起的漏电流。


                p-MoTe2/n-MoS2 JFET的n沟道


                图3 p-MoTe2/n-MoS2 JFET的n沟道

                a. n沟道JFET的OM图像。比例尺= 10μm。b. n沟道JFET的简单3D示意图。c.根据(i)微小,(ii)夹断和(iii)大VDS的2D横截面设备视图以及n沟道设备b中√的白色虚线剖开的视图。d. n沟道JFET的ID–VDS输出特性。e. n沟道JFET的ID–VGS传输特性。f. n沟道JFET的移动性。红色和橙色线表示饱和『迁移率,黑色星号表官网江苏快三开奖号码示在不同VGS(分别为0.2、0.4、0.6、0.8 V)下的线性迁移率。


                JFET的饱和迁移率也是从同一个图中提取出来的。根据图3e,f,阈值电压和峰值饱和迁移♂率分别为?0.2V和500–600cm2/V·s。饱和迁移率由以◢下等式(1)驱动,该等式什么频道直播江苏快三需要MoS2 n沟道中载流子★浓度Nd和跨导gm的信息。在图3e中,我们从转移曲线中提取作为VGS函数的gm图。

                函数

                (1) 因此,可将迁移率江苏快三走势图推荐计算如下:

                函数

                (2) 式中,Nd是载流子密度(单位:cm3);q是电荷;t、W和L分■别是沟道的厚度、宽度和长』度。在图3d中,使用以下∞在小VDS下∮的简单等式(3),也江苏快三彩乐乐预测可以从图3d中不同VGS处的输出特性中提取线性移动性。

                函数

                (3) 最大线性迁移率似乎与饱和江苏快三今天的预测号71~82期状态相当。


                对于饱和度和线性迁移率的估计,Nd值将是最重要的信息。为了获得室温︾下的ㄨNd值,实验实际☉上尝试了用Au接触16nm薄MoS2和Pt接触7nm薄MoTe2进行四点van der Pauw Hall测量。图4a,b显示了在SiO2/p-Si衬底上的样品的两个OM图像,而每江苏快三预测与推荐一定牛个样品的厚度都是通过AFM扫描测量的,如图4c所示。尽管图4a,b中的样品形状不是理想♂的对称形状,但是MoTe2和MoS2样品在磁场(H)扫Ψ描下相对磁阻[RH(H)–RH(0)]与H场图如图4d所示。这些斜率◥清楚 地 标 识或区分江苏快三稳赚公式了p型和n型传导。根据斜率,计算出在300K下的空穴和电子浓度(Na和Nd)分别为2.43×1017和2.5×1016/cm3。计算详细信江苏快三开奖手机版息在支持信息部分。


                图4 MoS2和MoTe2的Hall测量


                002-png.png

                a,b.用于四探针Hall测量的n-MoS2和p-MoTe2的OM图像。c.从AFM扫描获得的↘MoS2(红色)和MoTe2(蓝色)的薄片厚度⊙分布图,以及江苏快三预测一定牛三不同都有哪些在磁场(H)下MoS2(顶部负斜率)和MoTe2(正)的d RH(H)-RH(0)数据坡)。a,b = 10μm的比例尺


                实江苏快三稳赚技巧刘军教你玩验的所有JFET器件都与MISFET不同,仅显示了一些滞后现象,这是因为vdW PN结界面处〗的电荷陷阱密度很小。无论器件是n沟道还是p沟道JFET(实际上是同时使用两个「沟道的单个器件),图3f中的迁〒移率图显示了0.05-0.1μV的微江苏快三分析对子小滞后。图5a显示了第三个带有p沟道的JFET,实际上,该JFET的沟道厚度约为10nm,与图3a中的n沟道JFET相当。图5d中的输出曲线特征显示了三种ID模式:线性(i),夹断(ii)和饱和(iii)。乍一看,p沟道ID的输出曲◣线与图3d中的n沟道的曲线相当@ 。然而,从细节观察可以看出中国江苏快三开奖结果,在MoTe2p沟道中,夹断阶段显得较慢;p沟道的江苏快三号码走势饱和电压(对于VGS = -1V,VSAT = -1.5V)大于MoS2 n沟道的饱和电压(对于VGS = 1 V,VSAT =?0.8V)。它与p沟道的空穴载流子密度■有关,p沟道的空穴载流子密度比n沟道的大。在相同的VGD(VGS-VDS)下,p沟道的ζ电荷耗尽比n沟道的电荷耗尽更加困◆难。图5b,c展示了p沟道JFET的示意性3D和截面图。如图5c所示,在正VGD下,MoS2栅极(反向偏压)比MoTe2 p沟道更容易耗尽江苏快三可以倍投吗,而MoTe2 p沟道需要进一步的VDS才能收缩。在图5e中,p沟道JFET的ID比n沟道JFET的ID低△一个数量级,与n沟道∴器件的SS(200 mV / dec)和ON/OFF ID比(5×103)比低。困难的沟道耗竭或沟道关闭可∞能与这种劣势密︻切相关。根据图5f,p沟道JFET的饱和度(13–14cm2 /V·s作为峰值迁江苏快三专家推荐号码今天移率)和线性迁移率(4cm2/V·s)看起来与以江苏快三今日未出号前的p-MoTe2 MISFET的报告相当,但是远〇远低于MoS2 JFET的值。由于p沟道中载流子浓度高一个数量卐级而导致的杂质散射』是MoTe2的固有能带结构以及迁移率低江苏快三靠什么挣钱的主要原因,此外,还可以江苏快三遗漏统计怀疑MoTe2沟道/SiO2接口上的许多陷阱是器件几何结构方面移动性低的另一个原江苏快三计划网站哪个准确率高?因。


                图5 p-MoTe2/n-MoS2 JFET的p沟道


                002-png.png

                a.p沟道JFET的OM图像。比例尺= 10μm。b.我们的p沟道JFET的简单3D示意图。c.根据(i)小型,(ii)夹断和(iii)大VDS的2D横截面设备视图以及我们p沟道设备b中的白色虚线剖开的视图。d. p沟道JFET的ID–VDS输出特性。e. p沟道JFET的ID–VGS传输特性。f.我们的p沟道JFET的移动性。蓝线和▃天蓝色线表示饱和迁移率,黑星线表示不◥同VGS(分别为-0.2,-0.4,-0.6,-0.8V)下的线性迁移率


                作为江苏快三稳赚是真的吗最终设备,p-WSe2/n-MoS2 JFET的制造目的是为了确认任何p-TMD/n-TMD JFET原则上都可以正常▲工作。p-TMD充当n-TMD沟道的⊙栅级,而n-TMD充当p-TMD沟道的栅级。图6a,b分别显示了JFET的OM和3D示意图,其中p-WSe2和n-MoS2沟道FET共同使用Au触点。图6c显示了通过探测重叠位江苏快三怎么样玩单双才是赢置(图6a中的红点)一次获得的来自两个薄片的拉曼光谱。根据图6d的输出曲线特性,尽管Au和p-WSe2之间的接触电阻看起来很严重,但p沟道和n沟道JFET仍能㊣ 很好地工作。由于接触电阻的这种缺陷,p-WSe2 JFET表现出较差江苏快三一天稳赚200元的I–V特性,只有几nA的ON状态,而p沟道WSe2的导电性较差,导致其对n-MoS2 JFET的栅江苏快三开奖走势图今天级不足。因此,如图6d,e的输出和传输特性所示,p-WSe2/n-MoS2系统中的n-MoS2 JFET的导通状态ID比p-MoTe2/n-MoS2 JFET情况的导▓通状态ID低一个江苏快三今天开奖号数量级。但是,此p-WSe2/n-MoS2 JFET器件的演示仍支持任江苏快三快三开奖号码何p-TMD/n-TMD JFET通常原则上都使用江苏快三下载大小单双两个沟道工作。



                图6 p-WSe2/n-MoS2 JFET


                p-WSe2/n-MoS2 JFET

                a.SiO2/p-Si上p-WSe2/n-MoS2 JFET的OM图像。比例尺= 10μm。b. p-WSe2和n-MoS2沟道JFET的3D示意性横截面。Au用作两个沟道的接触金属。c.通过探测a中的红点获得○的WSe2和MoS2的拉曼光谱。d. p-WSe2和n-MoS2沟道JFET的ID–VDS输出特性。p-WSe2和n-MoS2沟道JFET的ID-VGS传输特性


                总而言之,本研究将vdW JFET制成了平︼面电流器件,在半导体p-MoTe2和n-MoS2TMD之间具有江苏快三点数在线计划异质结。由于当p型材料用作n沟道的栅极时,该vdW JFET在异质结界面处将具有低密度陷阱,反之亦然,因此实现了0.05–0.1V的〓微小迟滞和100mV/dec的良好亚阈值【摆幅(SS)。此外,vdW JFET始终在?1V的低漏极电压下表江苏快三推算下期结果现出易于饱和的特性,并且江苏快三三同号遗漏数据统计在接近0V的阈值下再现性地显示出较低的工作栅极电压(p-JFET为+0.2V,n-JFET为-0.2V)。普通的vdW 2D MISFET很少同时¤实现上述特性。对于具有MoS2沟道的n沟道JFET,最高迁∴移率达到?>500cm2/V·s,而具有MoTe2的p沟道JFET的◢迁移率要低出一个数量级(?13cm2/V·s)。这些值与2D FET的先前结果相当或江苏快三每天开奖时间接近。对于低压JFET器件,观察到的开/关电流比为?> 104。带有超薄vdW 2D TMD的两个沟道JFET的操作被认为是独特的,不同于一般的↑三维(3D)JFET和MISFET的操作,并且原则上两个相对的(p和n)沟√道可以用作彼此的栅极。实验江苏快三不定位是什么也通过另一个p-TMD / n-TMD JFET(p-WSe2/n-MoS2结) 再次证实了这一原理。因此,可以得出的结论是,类似于2D的超薄沟道ㄨJFET在其工作原理∑,结构和制造简便性方面♂都足够新鲜,可以影网络江苏快三是合法的吗响基于2D半导体的纳米电子学的未来。

                 

                本研究使用的SKPM测量是在具有非接触模式的Park XE7进行的。在SKPM成像中, 镀金的▆探针(PPP-NCSTAu, nanosensors)施加了1.5 V的交∏流偏压(频率为17kHz)。


                Park XE7原子力网易江苏快三历史开奖显微镜

                原子力显微镜XE7_Park


                该研究使用了Park XE7原子力显微镜设备完成。Park XE7是一款具备优质性能→和最高性价比的研究型原子〗力显微镜。


                - 通过消除扫描器串扰进行准确的↙XY扫描

                - 具江苏快三是否经过国家批准有全面的原子力显微镜解决方案

                - 人性化设计的软件和硬件功能

                - 可满足各种条江苏快三怎么玩大小件下,对各种样品进行非接触式扫描


                2021-04-09
                相关仪器
                仪网通银牌会员♀ 第 2 年

                Park原子力显∑ 微镜公司

                认证:工商信息已江苏快三的和制图核实今天的江苏快三走势图遗漏
                仪企号 
                Park System Crop.
                友情链接 
                手机版 
                Park原子力∞显微镜公司手机站
                开启全江苏快三今日推荐新的世界
                m.yiqi.com/zt3413/